在測量拉曼光譜儀的靈敏度參數(shù)時，有人提出，單晶硅的三階拉曼峰的強(qiáng)度跟硅分子的取向(什么111，100之類)的有關(guān)，使用不同取向的硅使用與其相匹配的激光照射時，其強(qiáng)度嚴(yán)重不一樣，是這樣嗎?不知道大家測量拉曼光譜儀的靈敏度時都是怎么測量的?
 

　　1.是的，硅單晶片放置的方向不同峰的強(qiáng)度不同。一般只觀察520cm-1峰的強(qiáng)度，不同的硅片取向，不同倍數(shù)的物鏡，長焦物鏡或短焦物鏡，520cm-1峰的強(qiáng)度都不同。
 

　　2.520cm-1處好像不是硅的三階峰的位置吧，測試靈敏度的時候一般是硅的三階峰的信噪比來衡量呀。520處是跟硅的取向有關(guān)系，但是單晶硅的三階拉曼峰呢?

 

　　3. 硅三階峰位置1440cm-1。
 

　　4.關(guān)于硅晶體各向異性的說明可以做偏振拉曼光譜，有些樓主同志說拉曼強(qiáng)度跟光源強(qiáng)度，透鏡倍數(shù)，等因素有關(guān)，說法沒錯，但是，這個跟硅的各向異性并沒多大關(guān)系，隨便一個樣品的拉曼強(qiáng)度都跟這些因素有關(guān)!
 

　　硅的各向異性，比如，以VV偏振沿硅的111和110面做譜圖，在光源強(qiáng)度，透鏡倍數(shù)等因素都相同條件下拉曼強(qiáng)度是不一樣的，根據(jù)這些強(qiáng)度還有入射角度，偏振配置可以計算出硅的各向異性指標(biāo)!
 

　　這里可能涉及到很多拉曼光譜的原理和偏振光學(xué)，偏振配置等一些計算方法(涉及到的理論包括：群論，晶體結(jié)構(gòu)理論，固體物理，偏振光學(xué)，拉曼原理等理論)。